ウルトラクリーン技術の詳細
東北大学では、ウルトラクリーン技術を提唱するとともに、次世代半導体生産に必要となる技術を開発されてきました。この技術は、国内だけでなく海外の主要半導体メーカーのいくつかの最先端半導体工場に実際に導入され、生産性を飛躍的に高めたことで、その有効性が広く知られています。
さらに先端精密加工に必要となる、「完全に揺らぎのない製造ライン – Perfect Scientific Manufacturing」の実現に必要な技術要素を、ウルトラクリーン３原則として体系化されてきました。
ウルトラクリーン化３原則
1. ウルトラクリーン表面 Ultra Clean Wafer Surface
| (1) 粒子汚染がない | Free from particles |
| (2) 金属汚染がない | Free from metal impurities |
| (3) 有機物汚染がない | Free from organic impurities |
| (4) 自然酸化膜がない | Free from unintended native oxide |
| (5) 原子スケールで表面凹凸がない | Maintained atomic-order “micro-roughness” |
| (6) 表面が完全に水素で終端されている | With top surface completely terminated with hydrogen |
| (7) 水分吸着がない | Free from moisture |
| (8) 帯電していない | Free from charge-up |
2. Ultra Clean Processing Environment
3. Perfect Process-Parameter Control
東北技術株式会社は、生産技術として東北大学で開発されたウルトラクリーン技術体系をベースに、精密加工を必要とするあらゆる産業界との共同開発、製品開発、また大学との橋渡しの一端を担う所存です。
